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宇宙辐射对OBC和DC/DC内部高压功率半导体器件的影响需要被认知

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 迪龙电源 

现如今,新能源电动汽车行业发展创新突飞猛进,车载充电机(On-Board Charger;OBC)与DC/DC转换器(DC/DC Converter)被大规模应用于电动汽车上,在OBC和DCDC内部高压功率半导体SiC与Si器件也越来越多。

而宇宙辐射对功率半导体器件的影响却很少被提及,但事实上无论什么技术的功率半导体器件都会受到辐射影响,因此在OBC和DCDC的应用中,宇宙辐射的影响需要被认知,因此,本文针对性阐述了宇宙辐射对OBC与DCDC内部高压功率半导体器件的影响。

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宇宙辐射通过高能粒子轰击地球,以质子、重核为主,少数情况下可测得粒子能量高达1020eV,由于大气层的存在,这些粒子与外大气层的原子核碰撞产生二级粒子,这些二级粒子承载了原粒子的能量。

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当二级粒子到达地球表面时,与致密物质发生交互,对于高压功率半导体器件来说,意味着有一定的几率在阻断区域被轰击,粒子通常以几百MeV(100Mev≈16PJ)的能量轰击器件,在几毫米距离内产生电子空穴对。

其中,中子是唯一数量最多且能够把能量集中到一点的粒子,并产生烧毁,称之为单粒子烧毁(SEBs),因此中子是最有害的成分,当中子与高压功率半导体器件中的Si或SiC原子核碰撞时,产生反冲离子,离子的动能会引发几毫米范围内的电荷爆炸。

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在关断状态下,这些电荷载流等离子体会将其内部电场屏蔽,建立高峰值电场,在相互碰撞的过程中,峰值电场逐渐扩大,从而扩展了等离子区的范围,等离子区的扩展最终有可能会引起电气短路,短路的发热会使Si融化,最终导致高压功率半导体器件结构被破坏,从而失效。

由于失效机理是由碰撞电离过程导致的,在高压功率半导体器件导通时,没有高强度电场模式下是不会发生的,所以在评估器件失效率时,导通模式不用考虑。

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上文提到宇宙辐射失效机制是在关断条件下发生的,因此关断电压和失效率有很大关系,除此之外和海拔、温度、芯片面积也有一定关系。

海拔越高离子密度越高,辐射引起的失效率也就越高,而温度越高,失效率越低,温度与失效率成反向特性。

同时芯片面积也和失效率有一定关系,面积越大,被中子轰击的几率也就越大。

随着新能源电动汽车渗透率越来越高,车载OBC与DCDC安全可靠的重要性逐渐凸显。

在产品试验测试阶段,宇宙辐射的影响不容易被凸显出来,然而在长达数年的使用过程中,宇宙辐射对产品可靠性的影响却很重要。

尤其是在车载OBC和DC/DC变换器电压等级越来越高的情况下,宇宙辐射的重要性不可忽视。